处理系统
授权
摘要
本发明提供一种小型的处理系统，其包括对晶片等的多个被处理体一并进行规定的处理的多反应器式的真空处理室，能够以高生产率对被处理体进行处理。本发明的处理系统(1)中，多反应器式的真空处理室(101～104)沿着规定的方向设置，输送设备3)分别沿着上述规定的方向设置，具有分别沿着上述规定的方向输送晶片(W)的第一共用输送装置和第二共用输送装置(30、31)，第一共用输送装置(30)从与上述规定的方向正交的方向的一方与真空处理室(101～104)分别连接，第二共用输送装置(31)从与上述规定的方向正交的方向的另一方与真空处理室(101～104)分别连接。
基本信息
专利标题 ：
处理系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108695202A
申请号 ：
CN201810269345.5
公开（公告）日 ：
2018-10-23
申请日 ：
2018-03-29
授权号 ：
CN108695202B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
河边笃近藤圭祐
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN201810269345.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2018-11-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180329
申请日 : 20180329
2018-10-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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