处理系统和处理方法
公开
摘要
本发明提供处理系统和处理方法，能够使用设置于输送叉形部件的传感器测量等离子体处理腔室的内部状态，基于该测量结果适当地进行基片的处理。在减压环境下对基片进行处理的系统包括：对基片实施所希望的处理的处理腔室；输送腔室，其具有进行上述基片相对于上述处理腔室的送入送出的输送机构；和控制上述处理腔室中的处理过程的控制部，上述输送机构具有：将上述基片保持于上表面地进行输送的叉形部；和测量机构，其设置于上述叉形部，能够测量上述处理腔室的内部状态，上述控制部基于由上述测量机构获取到的上述处理腔室的内部状态，控制上述处理腔室中的处理过程。
基本信息
专利标题 ：
处理系统和处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496695A
申请号 ：
CN202111203494.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
网仓纪彦三枝慎广瀬润
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN202111203494.X
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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