基板处理方法、基板处理系统及基板处理程序
发明专利申请公布后的驳回
摘要
提供一种可以使处理效率飞跃地提高的基板处理方法。作为晶片处理的基板处理方法，在具有基板处理装置(2)、大气输送装置(3)以及负载锁定室(4)的基板处理系统(1)中执行，具有输送半导体晶片W的基板输送工序(工序S43和S49)、和对半导体晶片W进行蚀刻处理的基板处理工序(工序S44～S48)，基板输送工序和基板处理工序由多个动作构成，该基板处理方法，使构成各工序的多个动作中的至少2个动作并行地执行。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法、基板处理系统及基板处理程序
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779906A
申请号 ：
CN200510117318.9
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贝濑精一岩渕纪之加藤茂昭中村博横内健柴田真理子小尾章
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510117318.9
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/67 H01L21/20 H01L21/3065 G05B19/418
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-06-17 ：
发明专利申请公布后的驳回
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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