基板处理装置、基板处理装置的控制方法、程序
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摘要
本发明的基板处理装置(100)具备导入气体后进行规定的处理的多个处理室(200A、200B等)；分别设置在所述各处理室中的排气系统(220A、220B等)；和连接所述各处理室的排气系统中至少两个以上的处理室的排气系统的共同排气系统(310)，其中，共同排气系统构成为可切换除害共同排气系统(320)与非除害共同排气系统(330)，除害共同排气系统(320)通过除害部件(340)对来自所述各处理室的排气系统的排气进行除害并排出，非除害共同排气系统(330)不经过除害部件排出来自所述各处理室的排气系统的排气，设置控制部件(400)，根据各处理室进行的处理的种类，进行除害共同排气系统与非除害共同排气系统的切换控制。
基本信息
专利标题 ：
基板处理装置、基板处理装置的控制方法、程序
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822315A
申请号 ：
CN200610003291.5
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中村博小林俊之早坂伸一郎贝瀬精一
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200610003291.5
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/02 H01L21/67 H01L21/3065 H01L21/205 C23C16/44 C23F4/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2008-06-25 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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