基板处理方法、基板处理装置及控制程序
授权
摘要
提供一种基板处理方法、实施该方法的基板处理装置、及用于它们的控制程序，该基板处理方法具备：用水覆盖基板(W)的表面预先的工序(28)；将基板(W)以表面为上侧而保持成大致水平并使其在水平面内旋转的工序(10)；和对基板(W)的上侧的表面喷射与基板(W)的表面积相比较细的干燥用气流的工序(30、40)；喷射干燥用气流的同时，通过水平面内的旋转从基板表面除去水，能够不局部地残留水滴而使清洗后的基板干燥。
基本信息
专利标题 ：
基板处理方法、基板处理装置及控制程序
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101116176A
申请号 ：
CN200680004278.X
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2006-01-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
井上雄贵福永明小川贵弘
申请人 ：
株式会社荏原制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈英俊
优先权 ：
CN200680004278.X
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 C23C18/16
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2009-08-05 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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