基板表面的处理方法、基板的清洗方法及程序

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种除去基板附着物的基板表面处理方法，其具有：用药液清洗上述基板的药液清洗步骤；在规定压力下，将所述附着物暴露在含有氨和氟化氢的混合气体氛围中的附着物暴露步骤；和将暴露在所述混合气体氛围中的所述附着物加热至规定温度的附着物加热步骤。

基本信息

专利标题：

基板表面的处理方法、基板的清洗方法及程序

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1828841A

申请号：

CN200610057724.5

公开（公告）日：

2006-09-06

申请日：

2006-02-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

西村荣一折居武彦

申请人：

东京毅力科创株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

龙淳

优先权：

CN200610057724.5

主分类号：

H01L21/306

IPC分类号：

H01L21/306 H01L21/308

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/306

化学或电处理，例如电解腐蚀

法律状态

2022-02-08 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20060223
授权公告日 : 20080618
终止日期 : 20210223

2008-06-18 ：

授权

2007-01-10 ：

发明专利申请公布说明书更正

更正卷 : 22
号 : 36
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2005.09.26 JP 2005-278844

2006-10-25 ：

实质审查的生效

2006-09-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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