基板表面处理装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种能实现运载气体高温化，并且能达到高度均质处理的基板表面处理装置。供给所定的热介质的热介质入口连接上流环，前述热介质放出的热介质出口连接下流环，前述热介质的流动方向是从前述上流环至前述下流环，前述上流环和前述下流环之间被若干个热传导路径所连接，两两相邻的热传导路径中的热介质的流动方向相反，并且热介质可以使用气体。
基本信息
专利标题 ：
基板表面处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088146A
申请号 ：
CN200580044309.X
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梅田优
申请人 ：
渡边商行株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴小灿
优先权 ：
CN200580044309.X
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C23C16/44 H01L21/304
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2009-07-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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