基板处理装置的复原处理方法、基板处理装置、程序
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摘要

本发明提供一种基板处理装置的复原处理方法,在由至少包括对从基板收纳容器输送的晶片(W)进行处理的处理室的多个室所组成的基板处理装置中,在因该基板处理装置的工作中产生异常而工作停止时,在异常解除后复原基板处理装置的状态,包括:基板回收工序(S110~S150步骤中),对滞留在基板处理装置的各室内晶片(W)进行对应于直到工作停止时实施的处理阶段的基板挽救处理,将被处理基板向基板收纳容器回收;和装置内状态复原工序(S160步骤中等),使基板处理装置的各室内的状态复原。用于在基板处理装置的工作中因产生异常而停止工作时,节省该基板处理装置的复原处理时间和工夫,并尽可能多地挽救滞留在基板处理装置内的被处理基板。

基本信息
专利标题 :
基板处理装置的复原处理方法、基板处理装置、程序
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1819112A
申请号 :
CN200610006919.7
公开(公告)日 :
2006-08-16
申请日 :
2006-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
清水宣昭
申请人 :
东京毅力科创株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
龙淳
优先权 :
CN200610006919.7
主分类号 :
H01L21/00
IPC分类号 :
H01L21/00  H01L21/3065  H01L21/20  H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2008-04-23 :
授权
2006-10-11 :
实质审查的生效
2006-08-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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