一种深硅刻蚀方法
授权
摘要
本发明公开一种深硅刻蚀方法，其包括刻蚀步骤和沉积步骤，所述刻蚀步骤和所述沉积步骤交替循环直至刻蚀到预设深度，在所述沉积步骤中，通入沉积气体和由碳元素和氢元素组成的第一辅助气体进行沉积。通过上述深硅刻蚀方法，可以降低刻蚀图形顶部的线宽损失。
基本信息
专利标题 ：
一种深硅刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108133888A
申请号 ：
CN201611091420.0
公开（公告）日 ：
2018-06-08
申请日 ：
2016-12-01
授权号 ：
CN108133888B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
万宇
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201611091420.0
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2018-07-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20161201
申请日 : 20161201
2018-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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