刻蚀机台的处理方法
公开
摘要
一种刻蚀机台的处理方法包括：预处理：向所述刻蚀机台的反应腔内多次打入含有氧自由基及氢自由基的等离子体，以去除反应腔内的水汽及反应腔表面的Si‑C键；灰化处理：将表面具有光刻胶的晶圆控片置于所述反应腔内，并采用含有氧自由基的等离子体对光刻胶进行处理，以使光刻胶解离，且去除反应腔表面的Si‑OH键，解离产物能够附着在所述反应腔表面。本发明刻蚀机台的处理方法能够避免等离子体与反应腔表面的化学键结合，从而避免在后续的测机作业中出现颗粒物数量过高的情况，大大减小刻蚀机台宕机时间及次数。
基本信息
专利标题 ：
刻蚀机台的处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114563922A
申请号 ：
CN202011354059.2
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高正彦潘凯鲁剑飞王建忠
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202011354059.2
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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