改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法，提供衬底和刻蚀机，在衬底上形成光刻胶，光刻使得衬底需要刻蚀的部分裸露；刻蚀机的脉冲射频单元采用占空比大于80％的射频信号，并且将其下电极温度选择为小于十摄氏度；利用刻蚀机刻蚀裸露出的衬底，在衬底上形成侧壁带有弧度的沟槽；脉冲射频单元采用占空比为20％至70％的射频信号，之后利用钝化气体在沟槽的侧壁形成钝化层；其中沟槽的凹面到其侧壁的距离定义为粗糙度；多次刻蚀形成沟槽以及生成钝化层，将沟槽形成为深沟槽。本发明在刻蚀过程中，降低了刻蚀步骤对侧壁的破坏，提高钝化步骤对侧壁的保护，在保证底部深度刻蚀的同时，侧壁粗糙度维持在小于32nm的较好水平。
基本信息
专利标题 ：
改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429902A
申请号 ：
CN202210093835.0
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张振兴
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202210093835.0
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/67 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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