一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种多晶硅栅刻蚀方法，其步骤如下：(1)初刻前刻蚀步骤；(2)初刻；(3)主刻；(4)过刻。其中初刻前刻蚀步骤在硬掩膜刻蚀后、多晶硅刻蚀前进行，用SF6或NF3作为反应气体，或者包括选自CxHyFz、Cl2、O2中的一种或几种气体。本发明的刻蚀方法可以很好的去除光胶在硅表面的聚合物残留，从而减小了其对线条粗糙度的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种改善线条粗糙度的多晶硅刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1851049A
申请号 ：
CN200510126289.2
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙静
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
司君智
优先权 ：
CN200510126289.2
主分类号 ：
C23F1/12
IPC分类号 ：
C23F1/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
C23F1/10
蚀刻用组合物
C23F1/12
气态组合物
法律状态
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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