对硅氧化物和多晶硅的刻蚀方法
授权
摘要
本申请公开了一种对硅氧化物和多晶硅的刻蚀方法，包括：提供一衬底，衬底上依次形成有栅氧化层、浮栅多晶硅层、隔离层以及控制栅多晶硅层，控制栅多晶硅层上形成有硅氮化物层，硅氮化物层和控制栅多晶硅层的表面形成有硅氧化物层，硅氮化物层周侧的硅氧化物层形成侧墙；通过ICP刻蚀设备中对硅氧化物层进行刻蚀，去除硅氮化物层顶层的硅氧化物层且使侧墙减薄，直至控制栅多晶硅层暴露；通过ICP刻蚀设备中对侧墙之间的控制栅多晶硅层进行刻蚀，直至隔离层暴露，形成控制栅。本申请通过ICP刻蚀设备对闪存器件的硅氧化物层和控制栅多晶硅层进行刻蚀，降低了闪存器件的制造工艺的复杂度。
基本信息
专利标题 ：
对硅氧化物和多晶硅的刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111128705A
申请号 ：
CN201911373845.4
公开（公告）日 ：
2020-05-08
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN111128705B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
吴长明冯大贵欧少敏
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
黎伟
优先权 ：
CN201911373845.4
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/02 H01L27/11521
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-06-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20191227
申请日 : 20191227
2020-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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