一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本发明提供了一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺，该工艺包括点火步和清洗步，其中工艺气体为单纯的O₂，它对阳极氧化的腔室表面没有任何伤害，同时又可以保证腔室的工艺条件对于每一片进来的晶圆都是相同的。该工艺既能够维持工艺的稳定性，又降低了颗粒的产生，延长了零件的使用寿命。

基本信息

专利标题：

一种多晶硅刻蚀中的干法清洗工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1847458A

申请号：

CN200510126458.2

公开（公告）日：

2006-10-18

申请日：

2005-12-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

白志民

申请人：

北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

申请人地址：

100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司

代理人：

王常风

优先权：

CN200510126458.2

主分类号：

C23F4/00

IPC分类号：

C23F4/00 H01L21/00 H01L21/3065

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23F

非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理

C23F4/00

不包含在C23F1/00或C23F3/00组中的表面除去金属材料的工艺

法律状态

2018-08-21 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : C23F 4/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市经济技术开发区文昌大道8号

2008-06-11 ：

授权

2006-12-13 ：

实质审查的生效

2006-10-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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