一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明提供了一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺，包括稳定步骤1、BT步、稳定步骤2、主刻步、稳定步骤3、过刻步和干法清洗步。各稳定步骤所使用的工艺气体可以是即将开始的工艺步骤所用的工艺气体，还可以是N2或者其他任何一种惰性气体如He、Ar，采用本发明的多晶硅刻蚀工艺所得到的刻蚀剖面显微图显示，硬掩膜层和多晶硅层的交界处凹陷处和梯形结构完全消失，也没有微沟槽效应。
基本信息
专利标题 ：
一种能够消除残气影响的多晶硅刻蚀工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1851871A
申请号 ：
CN200510126340.X
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐果
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王常风
优先权 ：
CN200510126340.X
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302 H01L21/3065 C23F1/10
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2018-08-14 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/302
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
2008-04-23 ：
授权
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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