一种防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本发明提供了一种能够防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺，包括以下步骤：贯穿刻蚀、主刻蚀、聚积电荷释放和过刻蚀。其中聚集电荷释放步骤中通过调整导电工艺气体N₂和载气He比例和流量，以及调整工艺的射频功率和反应压力，可以有效消除刻蚀过程中高负电性反应气体造成的非平衡电荷积累，达到避免栅氧层击穿的作用。本发明的工艺简单，无需对设备的硬件系统进行优化设计，对各种形状、类型器件都有良好的适应性。

基本信息

专利标题：

一种防止多晶硅刻蚀中器件等离子损伤的刻蚀工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1848387A

申请号：

CN200510126275.0

公开（公告）日：

2006-10-18

申请日：

2005-12-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张玮

申请人：

北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

申请人地址：

100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司

代理人：

练光东

优先权：

CN200510126275.0

主分类号：

H01L21/3065

IPC分类号：

H01L21/3065 H01L21/336

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/306

化学或电处理，例如电解腐蚀

H01L21/3065

等离子腐蚀；活性离子腐蚀

法律状态

2018-08-10 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 21/3065
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京经济技术开发区文昌大道8号

2008-03-05 ：

授权

2006-12-13 ：

实质审查的生效

2006-10-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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