改善等离子体均匀性和减少器件损伤的等离子体反应室
授权
摘要
本发明提供了一种用于处理工件的等离子体反应器，包括：真空室，其由侧壁和顶板限定；和工件支撑底座，其具有处在所述室中并且面向所述顶板的工件支撑表面，并且包括阴极电极。RF功率发生器耦合到所述阴极电极。等离子体分布由外部环形内电磁体、外部环形外电磁体和外部环形底电磁体控制，其中外部环形内电磁体处在所述工件支撑表面上方的第一平面中，外部环形外电磁体处在所述工件支撑表面上方的第二平面中，并且具有比所述内电磁体更大的直径，外部环形底电磁体处在所述工件支撑表面下方的第三平面中。多个DC电流源分别连接到内、外和底电磁体。
基本信息
专利标题 ：
改善等离子体均匀性和减少器件损伤的等离子体反应室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812683A
申请号 ：
CN200610003026.7
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丹尼尔·J·霍夫曼罗杰·A·兰德雷迈克尔·C·库特内马丁·J·萨里纳斯哈米德·F·塔瓦索里堀冈启治道格拉斯·A·小布什伯格
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
柳春雷
优先权 ：
CN200610003026.7
主分类号 ：
H05H1/30
IPC分类号 ：
H05H1/30 H05H1/46 H05H1/10 H01J37/32 H01L21/00
法律状态
2013-07-17 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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