本发明涉及一种应用于半导体晶圆制造工艺中的等离子体反应装置。本发明等离子体反应装置包括安装在腔室壁上面的绝缘窗体，其中所述绝缘窗体包括具有进气口的上盖和基盖，其中基盖内设有腔室，腔室底壁上均匀分布有若干中央孔。本发明的等离子体反应装置的优点和积极效果在于：由于绝缘窗体由上盖和基盖组成，且基盖内设有腔室，腔室底壁上均匀分布有若干中央孔。所以，由进气口进入的反应气体在基盖的腔室内受到底壁的缓冲，在整个腔室内趋于均匀，再由底壁的若干中央孔进入反应室，在反应室内的分布也趋于均匀；而且基盖腔室底壁的面积比较大，对反应室来说相当于有若干个进气口同时进气，所以，反应室内气体更加均匀。