一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明提供了一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺，该工艺包括贯穿步、主刻步、停留步、过刻步和硅片卸载步。本发明的方法在多晶硅刻蚀工艺中减少了硅片表面的电荷累积，减少了等离子体损伤。并且工艺简单，无需对设备的硬件系统进行优化设计，对各种结构、类型器件都有良好的适应性。
基本信息
专利标题 ：
一种能够防止器件等离子体损伤的多晶硅刻蚀工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1851880A
申请号 ：
CN200510126369.8
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵强
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡世英
优先权 ：
CN200510126369.8
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2018-08-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/3065
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
2008-08-20 ：
授权
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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