用于大曲率非平面器件的低温等离子体刻蚀装置及方法
公开
摘要
本发明提供了一种用于大曲率非平面器件的低温等离子体刻蚀装置及方法，该装置含有真空腔体顶盖、真空腔体底座、曲面导电匀气板、工艺气体通道、曲面器件、阳极样品台、真空排气通道和低温等离子体。真空腔体顶盖和真空腔体底座组成真空腔体，真空腔体顶盖和真空腔体底座接地，可打开装入样品也可闭合接入真空系统。曲面导电匀气板与真空腔体顶盖导电连接，工艺气体通过工艺气体通道进入真空腔体，通过真空排气通道离开真空腔体，曲面器件置于阳极样品台表面，在RF射频电源激励下形成低温等离子体弥漫于真空腔体内。本发明总体刻蚀速率在整个曲面上保持均一。
基本信息
专利标题 ：
用于大曲率非平面器件的低温等离子体刻蚀装置及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582698A
申请号 ：
CN202210202792.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高国涵范斌罗倩吴湘邵俊铭雷柏平汪利华杜俊峰边疆杨虎
申请人 ：
中国科学院光电技术研究所
申请人地址 ：
四川省成都市双流350信箱
代理机构 ：
北京科迪生专利代理有限责任公司
代理人 ：
江亚平
优先权 ：
CN202210202792.5
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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