一种减小等离子损伤的刻蚀工艺
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种减小等离子损伤的刻蚀工艺，包括BT步、主刻步、过刻步，它在以上步骤中的一步或几步通入保护气体，保护气体选自H2、N2中的一种或几种。本发明所述的刻蚀工艺能有效减少等离子损伤，延长腔室部件和硅片元件的使用寿命，保护MOS器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种减小等离子损伤的刻蚀工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1848389A
申请号 ：
CN200510126456.3
公开（公告）日 ：
2006-10-18
申请日 ：
2005-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
武小娟
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王常风
优先权 ：
CN200510126456.3
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/3213 C23F1/12 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2008-07-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-13 ：
实质审查的生效
2006-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
