耐等离子刻蚀陶瓷及其制备方法和等离子刻蚀设备
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摘要
本发明涉及一种耐等离子刻蚀陶瓷及其制备方法和等离子刻蚀设备。上述耐等离子刻蚀陶瓷的制备方法包括如下步骤：按质量百分比计，称取如下原料：纳米级氧化钇粉体64.7％～100％及纳米级氧化锆粉体0％～35.3％，纳米级氧化钇粉体的纯度不低于90.0％；将原料进行烧结，得到耐等离子刻蚀陶瓷，其中，烧结温度为1600℃～2000℃，烧结时间为1h～2h。上述耐等离子刻蚀陶瓷的制备方法能够使制备得到的陶瓷的耐刻蚀性较好，且致密度高、力学性能较好。
基本信息
专利标题 ：
耐等离子刻蚀陶瓷及其制备方法和等离子刻蚀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111620692A
申请号 ：
CN202010294358.5
公开（公告）日 ：
2020-09-04
申请日 ：
2020-04-15
授权号 ：
CN111620692B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
陈鹏谭毅成
申请人 ：
深圳市商德先进陶瓷股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区沙井街道新二社区南岭路21号B栋一楼、二楼
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
林青中
优先权 ：
CN202010294358.5
主分类号 ：
C04B35/505
IPC分类号 ：
C04B35/505 C04B35/622 C04B35/64 C04B35/645 H01J37/32
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/50
以稀土化合物为基料的
C04B35/505
以氧化钇为基料的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-09-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/505
申请日 : 20200415
申请日 : 20200415
2020-09-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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