一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置，包括工艺腔室和下电极；所述下电极与工艺腔室的底板上端面相接；还包括多个下工艺气体通道；所述下工艺气体通道的进气端口位于工艺腔室外部；所述下工艺气体通道的出气端口靠近下电极上端面外缘。本实用新型通过下工艺气体通道；朝向下电极上端面外缘附近供应工艺气体，增大下电极边缘的工艺气体供气量，加快下电极边缘的刻蚀速度，使下电极边缘区域与下电极中心区域刻蚀速度相近，改善刻蚀均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种用于改善刻蚀均匀性的等离子刻蚀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021097935.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-15
授权号 ：
CN212303604U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
韩大健李娜冯英雄车东晨许开东
申请人 ：
北京鲁汶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海二路28号4幢2层203
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
肖鹏
优先权 ：
CN202021097935.3
主分类号 ：
H01J37/02
IPC分类号 ：
H01J37/02 H01J37/305 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
