用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
视为撤回的专利申请
摘要
用干法刻蚀多晶硅的LOCOS法以除去所谓的“鸟嘴”现象(它是在一衬底上形成一氧化膜和一氮化膜而形成一隔离氧化膜时使氮化膜凸起)，刻蚀要生长一隔离氧化膜处的氮化膜区，并在其上沉积一多晶硅，此后用干法刻蚀多晶硅，使得它只有在氧化膜和氮化膜之间的边界区处的氮化膜的侧面留下来，注入沟道截止区的离子并生长隔离氧化膜，此后除去该氧化膜和氮化膜。
基本信息
专利标题 ：
用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1035916A
申请号 ：
CN89100864.0
公开（公告）日 ：
1989-09-27
申请日 ：
1989-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金达洙
申请人 ：
金星半导体株式会社
申请人地址 ：
南朝鲜汉城特别市
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN89100864.0
主分类号 ：
H01L21/30
IPC分类号 ：
H01L21/30
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
1991-11-27 ：
视为撤回的专利申请
1989-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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