在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置
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摘要
在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置，包括从前至后依次串联的进口预抽室、进口过渡室、至少一个氧化室、至少一个工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室、出口室，任意相邻的两个腔室之间的连接处均设有真空隔离插板阀，进口预抽室、出口室的分别设有翻板阀，进口预抽室和出口室上连接有真空泵，进口过渡室、氧化室、工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室上均连接有涡轮分子泵，氧化室上连接有低能氧离子源，工作室内设有硅靶和气态原位掺杂源，回火室内的前部设有红外加热源、后部设有紫外激光回火系统。使用时将硅片放在石墨托盘上依次经过各腔室反应即可，上述设备结构简单，造价便宜，使用过程成本低。
基本信息
专利标题 ：
在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021625682.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-06
授权号 ：
CN212750913U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
孙巍泉
申请人 ：
普乐（合肥）光技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市高新区海关路园景天下枫丹庄园9栋608号
代理机构 ：
蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王琪
优先权 ：
CN202021625682.2
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0216
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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