一种高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料及其制备方法
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摘要
本发明涉及一种高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料及其制备方法，属于表面加工、涂层、薄膜材料技术领域。本发明所述制备方法为：利用大气压放电的方法得到具有高绝缘电阻的二氧化硅薄膜材料，大气压放电温度为室温，在二氧化硅薄膜生长过程中，大气压放电装置的喷嘴始终垂直于基片表面，喷嘴并与基片表面保持恒定距离，且喷嘴相对于基片表面做周期性往复运动。本发明所述的高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料与现有的二氧化硅薄膜材料比，具有高绝缘电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种高绝缘电阻二氧化硅薄膜材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111085411A
申请号 ：
CN202010012476.2
公开（公告）日 ：
2020-05-01
申请日 ：
2020-01-07
授权号 ：
CN111085411B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
丁万昱王棋震
申请人 ：
大连交通大学
申请人地址 ：
辽宁省大连市沙河口区黄河路794号
代理机构 ：
大连东方专利代理有限责任公司
代理人 ：
赵淑梅
优先权 ：
CN202010012476.2
主分类号 ：
B05D1/04
IPC分类号 ：
B05D1/04 B05D3/04
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B05
一般喷射或雾化；对表面涂覆流体的一般方法
B05D
对表面涂布流体的一般工艺
B05D1/00
涂布液体或其他流体的工艺
B05D1/02
用喷射方法
B05D1/04
包括静电场的使用
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-05-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B05D 1/04
申请日 : 20200107
申请日 : 20200107
2020-05-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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