沉淀二氧化硅制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及有限孔隙率沉淀二氧化硅制备方法，其中该二氧化硅的BET比表面为20-300m2/g，CTAB比表面为10-200m2/g，吸油性(DBP)为80-400m3/100g，孔体积为1-10cm3/g，平均孔径为10-50mm，其特征在于：将硅酸盐和酸同时加进胶状二氧化硅分散体里，以使pH稳定在8-10之间，形成二氧化硅悬浮体后降低pH，使其在3-7之间，最后进行分离和干燥。本发明二氧化硅可用于催化，纸张和食物载体等领域。
基本信息
专利标题 ：
沉淀二氧化硅制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1048530A
申请号 ：
CN90103249.2
公开（公告）日 ：
1991-01-16
申请日 ：
1990-07-02
授权号 ：
CN1023106C
授权日 ：
1993-12-15
发明人 ：
杰克斯·皮西罗
申请人 ：
罗纳-普朗克化学公司
申请人地址 ：
法国库伯瓦
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN90103249.2
主分类号 ：
C01B33/12
IPC分类号 ：
C01B33/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/113
氧化硅；其水合物
C01B33/12
硅石；其水合物，如勒皮硅酸
法律状态
2006-09-06 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-12-15 ：
授权
1991-07-03 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-01-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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