在银币表面制备二氧化硅膜的方法、二氧化硅膜和银币
发明专利申请公布后的撤回
摘要

本申请具体涉及在银币表面制备二氧化硅膜的方法、二氧化硅膜和银币,属于原子层沉积领域,包括步骤:前驱体沉积:将第一前驱体沉积在衬底表面,得到沉积膜;前驱体反应:将第二前驱体与所述沉积膜进行反应,得到二氧化硅层;循环进行所述前驱体沉积和所述前驱体反应,直至所述二氧化硅层的厚度达到目标厚度,得到二氧化硅膜;其中,所述第二前驱体包括含硅前驱体和含氧前驱体。通过首先在衬底上沉积第一前驱体,得到沉积膜,然后再将含氧前驱体和含硅前驱体与沉积膜反应,得到二氧化硅层,多次循环沉积后得到二氧化硅膜,二氧化硅膜硬度高,耐磨性强,进而沉积在银币表面时使得银币表面耐磨性强。

基本信息
专利标题 :
在银币表面制备二氧化硅膜的方法、二氧化硅膜和银币
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481093A
申请号 :
CN202210101889.7
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王浙加李明明帅强夏洋冯嘉恒
申请人 :
嘉兴科民电子设备技术有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市南湖区亚太路778号(嘉兴科技城)9号303室
代理机构 :
北京众达德权知识产权代理有限公司
代理人 :
潘行
优先权 :
CN202210101889.7
主分类号 :
C23C16/40
IPC分类号 :
C23C16/40  C23C16/455  A44C21/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体,例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2022-06-07 :
发明专利申请公布后的撤回
IPC(主分类) : C23C 16/40
申请公布日 : 20220513
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/40
申请日 : 20220127
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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