一种二氧化硅表面与硅表面低温键合的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种二氧化硅表面与硅表面低温键合的方法。设置第一低温条件，并在衬底的键合面上通过硅酸乙酯加热分解工艺沉底二氧化硅，生成晶圆；将所述晶圆通过电子云活化，并进行去离子水洗，引入氢键；将引入氢键后的晶圆和普通硅片在预设压力下键合，并在键合完成后在第二低温下进行退火，生成键合后的半导体产品；将所述半导体产品进行超声波探伤和研磨测试，判断键合结果。本发明创新性的使用PETEOS在250℃~450℃下制备而成的二氧化硅层作为键合面，无需进行1000℃高温热氧工艺和1000℃高温退火工艺。可以大大减少对工艺机台的要求，降低能耗，降低综合成本，最重要的是为很多无法承受高温的材料及产品创造了可行的工艺路线，输出可靠的工艺效果。
基本信息
专利标题 ：
一种二氧化硅表面与硅表面低温键合的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420549A
申请号 ：
CN202210327717.1
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-03-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
深圳新声半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新南一道中科大厦508
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210327717.1
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L21/02 H01L21/66 G01N29/06 G01N21/95
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/18
申请日 : 20220331
申请日 : 20220331
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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