一种多步协同表面活化低温混合键合方法
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摘要
一种多步协同表面活化低温混合键合方法，属于晶圆键合及三维封装领域，该方法能够同时键合Cu‑Cu、SiO2‑SiO2以及Cu‑SiO2，所述方法具体步骤如下：一、将含有Cu电极和SiO2绝缘层图案的混合键合样品在室温下浸泡于甲酸溶液中，取出后在去离子水中进行超声清洗；二、采用等离子体对清洗后的样品进行表面活化；三、将等离子体活化后的样品对准后进行热压键合；四、对键合后样品进行保温，最终获得Cu/SiO2混合键合样品对。本发明操作便捷，成本低廉，低温200°C条件下实现了牢固的键合界面。大幅减小因热膨胀、热失配和热扩散而带来的一系列问题，避免损坏温度敏感器件，相比目前已知的其他混合键合方法具有明显优势，适用于下一代高性能芯片三维高密度异质集成。
基本信息
专利标题 ：
一种多步协同表面活化低温混合键合方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111243972A
申请号 ：
CN202010113428.2
公开（公告）日 ：
2020-06-05
申请日 ：
2020-02-24
授权号 ：
CN111243972B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
王晨曦康秋实周诗承鲁添何洪文李珩戚晓芸胡天麒
申请人 ：
哈尔滨工业大学;华为技术有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 ：
哈尔滨龙科专利代理有限公司
代理人 ：
高媛
优先权 ：
CN202010113428.2
主分类号 ：
H01L21/603
IPC分类号 ：
H01L21/603
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
H01L21/603
包括运用压力的，例如热压黏结
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-06-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/603
申请日 : 20200224
申请日 : 20200224
2020-06-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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