一种声表面滤波器的键合方法及其键合结构
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摘要
本发明提出了一种声表面滤波器的键合方法及其键合结构。所述键合结构包括第一键合金属层、第二键合金属层和第三键合金属层；所述第三键合金属层设置于所述声表面滤波器的盖板下表面的键合面上；所述第一键合金属层设置于所述第三键合金属层非盖板一侧的表面上；所述第二键合金属层设置于所述声表面滤波器的基体上表面与所述盖板进行键合的键合面上；所述第一键合金属层上设有多组键合凹槽；所述第二键合金属层上设置有与所述键合凹槽形状和数量相同，但高度与所述键合凹槽深度尺寸不同的多组键合凸起。
基本信息
专利标题 ：
一种声表面滤波器的键合方法及其键合结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113972900A
申请号 ：
CN202111575188.9
公开（公告）日 ：
2022-01-25
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
CN113972900B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
深圳新声半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新南一道中科大厦508
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111575188.9
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02 H03H9/02 H03H9/05 H03H9/10
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2022-02-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-01-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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