半导体直接键合的表面处理方法
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
用于半导体片直接键合的表面处理方法，采用等离子体表面处理，不仅可以增加半导体表面的OH浓度，而且可以增加表面层内原子活性，从而显著增大键合强度。本方法可以在半导体表面生长绝缘层的同时完成，操作方便，成本低，便于在批量生产中应用。
基本信息
专利标题 ：
半导体直接键合的表面处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87105937A
申请号 ：
CN87105937.1
公开（公告）日 ：
1988-06-01
申请日 ：
1987-12-12
授权号 ：
CN1003900B
授权日 ：
1989-04-12
发明人 ：
吕世骥阮宝崧郭跃华蔡跃明陆明莹
申请人 ：
南京工学院
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
南京工学院专利事务所
代理人 ：
楼高潮
优先权 ：
CN87105937.1
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
1991-10-23 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1990-03-14 ：
授权
1989-04-12 ：
审定
1988-06-01 ：
公开
1988-06-01 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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