半导体直接键合的工艺方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种用于直接键合半导体片的工艺方法，采用氧化、表面处理和热处理的方法实现，其特点是将经过镜面抛光的硅片氧化后，对绝缘层表面进行表面结合键增强处理。热处理采用低温处理和高温处理相结合的方法。本发明具有键合面积大、可靠和工艺方便、设备简单、成本低廉、易于推广等优点不仅可以用于制作SOI材料，而且可用于PN结制造和N/N+、P/P+结构的外延，可获得厚度均匀，性质与本体硅相同的单晶硅薄层。用于制作各种性能优异的半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体直接键合的工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1033907A
申请号 ：
CN87108314.0
公开（公告）日 ：
1989-07-12
申请日 ：
1987-12-29
授权号 ：
CN1009514B
授权日 ：
1990-09-05
发明人 ：
童勤义詹娟孙国梁徐晓莉
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
东南大学专利事务所
代理人 ：
楼高潮
优先权 ：
CN87108314.0
主分类号 ：
H01L21/30
IPC分类号 ：
H01L21/30 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
法律状态
1997-02-12 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-04-17 ：
授权
1990-09-05 ：
审定
1989-10-18 ：
实质审查请求
1989-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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