一种半导体器件及其键合工艺

实质审查的生效

摘要

本发明提供一种半导体器件及其键合工艺，半导体器件包括第一晶片、第二晶片及键合第一晶片和第二晶片的键合层，键合层包括设于第一晶片上的第一Si薄层、以及设于第二晶片上的第二Si薄层，第一Si薄层和第二Si薄层通过Si原子键相互键合。本发明通过使用Si薄层作为键合层，由于Si薄层极薄因此可透光，对光的穿透无影响；而Si薄层之间通过键能进行键合，使得有效键合成功率较传统键合工艺高20％及以上，从而能够同时满足高透光和高键合成功率的双重要求。

基本信息

专利标题：

一种半导体器件及其键合工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114429939A

申请号：

CN202210175916.5

公开（公告）日：

2022-05-03

申请日：

2022-02-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

贾钊窦志珍兰晓雯杨琦胡加辉金从龙顾伟

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

代理机构：

南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

刘红伟

优先权：

CN202210175916.5

主分类号：

H01L23/488

IPC分类号：

H01L23/488 H01L21/60 H01L21/18 C23C14/34 C23C14/16

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/48

用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置

H01L23/488

由焊接或黏结结构组成

法律状态

2022-05-20 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 23/488
申请日 : 20220224

2022-05-03 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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