半导体器件金属化工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
这是一种半导体器件金属化工艺，其中金属淀积步骤是在比后序工艺步骤高的温度中进行的。晶片温度与最大晶粒线度的相关性对许多用作半导体金属化的金属(例如铝)都很普遍，因此，通过测量和控制金属淀积步骤中所淀积的金属的最大晶粒线度，使控制和调节晶片温度成为可能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件金属化工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1037549A
申请号 ：
CN89102989.3
公开（公告）日 ：
1989-11-29
申请日 ：
1989-04-28
授权号 ：
CN1024145C
授权日 ：
1994-04-06
发明人 ：
波利特·安东尼佩则司·艾琳·M
申请人 ：
莫托罗拉公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN89102989.3
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/14 H01L21/3205
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2002-06-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2000-11-29 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 莫托罗拉公司
变更后 : 摩托罗拉公司
变更前 : 莫托罗拉公司
变更后 : 摩托罗拉公司
1994-04-06 ：
授权
1991-03-06 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1989-11-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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