一种半导体制冷片生产用低温金属化工艺
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摘要
本发明公开了一种半导体制冷片生产用低温金属化工艺，包括以下步骤：步骤一，激光切割；步骤二，离子刻蚀；步骤三，一次清洗；步骤四，真空溅射；步骤五，研磨抛光；步骤六，二次清洗；步骤七，性能测试；该发明用氯化氢、硫酸、氢氧化铵和去离子水混合制备而成的清洗液对工件进行两次的超声波清洗，从而彻底去除了工件表面的残余物和污染物等杂质，确保了半导体的金属化过程，提高了半导体制冷片的质量，用石英、二氧化硅、氢氧化钠、聚乙烯醇、磷酸和过氧化氢混合制备而成的抛光液对工件进行研磨抛光，提高了工件的表面处理效果，提升了工件的研磨抛光精度，降低了金属化工艺的次品率，减少了半导体制冷片的金属化成本。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体制冷片生产用低温金属化工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112054112A
申请号 ：
CN202011074614.6
公开（公告）日 ：
2020-12-08
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
CN112054112B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
邝桂英马秉华李竹强刘连峰邝俊群
申请人 ：
郴州华太科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市临武县工业园区纵一路008号
代理机构 ：
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202011074614.6
主分类号 ：
H01L35/34
IPC分类号 ：
H01L35/34 H01L35/28
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-12-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 35/34
申请日 : 20201009
申请日 : 20201009
2020-12-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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