一种金属-半导体的金属化工艺及方法
授权
摘要
本发明属于半导体器件制造技术领域、具体涉及金属‑半导体电极的一种金属化的工艺及处理方法。本发明提供了一种简单的工艺及相应处理方法，依次包括：提供一种半导体基材，该半导体包含至少一PN结，其PN结结构可以是叠加形式的结构，且其表面已经附着一种或者混合的氧化物薄层、介电膜层；在通过溅射、沉积、电镀、印刷或植入方式直接对该基材单面或者双面实施电极材料；对连接一体的需分离的正负电极采用腐蚀予以分离，产生外联正负电极；对覆盖有金属电极的半导体材料进行热处理；最后通过对外联电极实施欧姆接触方法完成金属化过程。
基本信息
专利标题 ：
一种金属-半导体的金属化工艺及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110148581A
申请号 ：
CN201810136008.9
公开（公告）日 ：
2019-08-20
申请日 ：
2018-02-10
授权号 ：
CN110148581B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
姜富帅
申请人地址 ：
山东省烟台市莱州市光州东街249号
代理机构 ：
北京中济纬天专利代理有限公司
代理人 ：
潘剑敏
优先权 ：
CN201810136008.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-09-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20180210
申请日 : 20180210
2019-08-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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