带有铝电极和金属化电极的半导体器件
授权
摘要
一种半导体器件包括：半导体基片(1)；布置在所述基片(1)的表面上的铝电极(11)；布置在铝电极(11)上并且具有开孔(12a)的保护膜(12)；和透过保护膜(12)的开孔(12a)而布置在铝电极(11)的表面上的金属化电极(13)。所述铝电极(11)的表面包括凹部(11a)。所述凹部(11a)具有开口侧和底部侧，底部侧比开口侧宽。在这种器件中，金属化电极(13)的凹部和凸部变小了。
基本信息
专利标题 ：
带有铝电极和金属化电极的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763941A
申请号 ：
CN200510114140.2
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
真山惠次近藤市治粥川君治三浦昭二
申请人 ：
株式会社电装
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
原绍辉
优先权 ：
CN200510114140.2
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2009-04-22 ：
授权
2006-06-14 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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