阴电极分叉式半导体器件
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要
本实用新型公开了一种阴电极分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后突出布置于壳体的外侧，所述门电极为门极管，两根或两根以上的门极管的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端突出布置于壳体的外侧。本实用新型是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的阴电极分叉式半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
阴电极分叉式半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620052551.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-10-20
授权号 ：
CN200962424Y
授权日 ：
2007-10-17
发明人 ：
张明李继鲁戴小平蒋谊陈芳林
申请人 ：
株洲南车时代电气股份有限公司
申请人地址 ：
412000湖南省株洲市石峰区田心北门
代理机构 ：
湖南兆弘专利事务所
代理人 ：
赵洪
优先权 ：
CN200620052551.3
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L29/41 H01L29/423 H01L23/48
法律状态
2008-11-05 ：
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 20081015
2007-10-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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