阴电极分叉式半导体器件
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要

本实用新型公开了一种阴电极分叉式半导体器件,它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极,所述阳极和阴极分别位于壳体的两端,所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间,另一端从壳体内引出后突出布置于壳体的外侧,所述门电极为门极管,两根或两根以上的门极管的一端位于壳体内阳极和阴极之间,另一端突出布置于壳体的外侧。本实用新型是一种在保证低感连接的条件下,结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的阴电极分叉式半导体器件。

基本信息
专利标题 :
阴电极分叉式半导体器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620052551.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-10-20
授权号 :
CN200962424Y
授权日 :
2007-10-17
发明人 :
张明李继鲁戴小平蒋谊陈芳林
申请人 :
株洲南车时代电气股份有限公司
申请人地址 :
412000湖南省株洲市石峰区田心北门
代理机构 :
湖南兆弘专利事务所
代理人 :
赵洪
优先权 :
CN200620052551.3
主分类号 :
H01L29/74
IPC分类号 :
H01L29/74  H01L29/41  H01L29/423  H01L23/48  
法律状态
2008-11-05 :
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 20081015
2007-10-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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