半导体器件
授权
摘要
本公开的各实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：设置有经激光束加工的导电结构的至少一个半导体裸片；和成型到至少一个半导体裸片上的封装成型结构，封装成型结构将至少一个半导体裸片和其上提供的导电结构的至少一部分进行包封。根据本公开的实施例，降低了半导体器件的成本并且提供了良好的热性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021698147.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-14
授权号 ：
CN213583700U
授权日 ：
2021-06-29
发明人 ：
F·G·齐格利奥利A·平图斯M·德赖P·马格尼
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202021698147.X
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/56 H01L21/48 H01L21/768 H01L23/31 H01L23/367 H01L23/485 H01L23/528 H01L23/552
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2021-06-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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