一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法

实质审查的生效

摘要

一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法，属于集成电路封装领域。所述封装散热方法为将2颗以上性能指标完全匹配的同晶圆WLCSP芯片集成为一个整体，产品工作时，只使用其中的一颗WLCSP芯片，其余芯片作为可靠性容余备份，当主芯片使用寿命结束或电路损坏等不工作时，芯片与芯片间的安全切换功能开启，另一颗芯片开始工作，损坏的芯片继续作为散热渠道。相比单颗芯片形成的WLCSP产品来说，具有更低的结温和热阻，解决了现有大功率和小尺寸WLCSP产品工作时热耗高，难以有效散热的问题，并在此基础上实现更长的使用寿命。广泛应用于各种大功耗、小尺寸集成电路的封装领域。

基本信息

专利标题：

一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114284157A

申请号：

CN202111514929.2

公开（公告）日：

2022-04-05

申请日：

2021-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

尹灿潘琴段方胡至宇徐方林张子扬吴瑾媛王钊

申请人：

贵州振华风光半导体股份有限公司

申请人地址：

贵州省贵阳市乌当区新添大道北段238号

代理机构：

贵阳中工知识产权代理事务所

代理人：

刘安宁

优先权：

CN202111514929.2

主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/50 H01L23/34

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

法律状态

2022-04-22 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20211213

2022-04-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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