改善双面散热器件应力问题的集成电路封装及制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种改善双面散热器件应力问题的集成电路封装制造方法，包括以下步骤：步骤1，制备载体；步骤2，在载体的预设位置安装第一金属垫块，并在第一金属垫块的上表面安装芯片模块；步骤3，在芯片模块的上表面安装第二金属垫块；以及，在第二金属垫块的上表面和第一金属垫块的下表面分别安装散热片；步骤4，对安装好散热片的器件置入塑封模具进行塑封。本发明用以实现芯片在使用时能够达到良好散热的目的，进一步提高芯片的使用寿命，减少芯片因过热导致其失效故障或损坏的情况。
基本信息
专利标题 ：
改善双面散热器件应力问题的集成电路封装及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530390A
申请号 ：
CN202210423918.1
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-04-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张怡程浪陈勇饶锡林易炳川
申请人 ：
广东气派科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市石排镇石鑫产业园1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210423918.1
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/67 H01L23/14 H01L23/367 H01L23/373 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20220422
申请日 : 20220422
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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