发光二极管封装结构及封装方法

专利权的终止

摘要

本发明公开一种具有高散热效率的发光二极管封装结构及封装方法，其是将该发光二极管的芯片直接贴设在一均热装置上，该均热装置内可供设置一用于传热的工作流体，通过该工作流体在均热装置内的相变化过程或者快速流动而可达到迅速将该芯片所产生的热量均布于所述均热装置的目的，从而达到减少热阻的功效，及防止局部热点(Hot Spot)的出现，有效解决高发热量发光二极管的散热问题。

基本信息

专利标题：

发光二极管封装结构及封装方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1953164A

申请号：

CN200510100558.8

公开（公告）日：

2007-04-25

申请日：

2005-10-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

胡祯祥谢逸中谭理光

申请人：

富准精密工业（深圳）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司

申请人地址：

518104广东省深圳市宝安区沙井镇万丰村98工业城7、8栋

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200510100558.8

主分类号：

H01L23/427

IPC分类号：

H01L23/427 H01L23/34 H01L21/50 H01L33/00 H01L25/075