发光二极管封装结构

专利权的终止

摘要

本实用新型是有关于一种发光二极管封装结构，至少包含一基座及弯折扣于基座同一侧的电极。基座的上部、下部及底部的中央处各具有平行凸出的突起平台。电极穿设于基座中并从基座的下部伸出，且自基座下部向基座底部弯折，而分别扣于基座的下部及底部。本实用新型的发光二极管元件在后续的制作产品的阶段具有较佳的特性，如：锡焊制程时可平稳置放，改善倾斜而造成吃锡不良的情况。再者，本实用新型发光二极管封装结构的基座上部中央的突起平台，可于生产线上模组化制作产品时，提供自动化机具吸取发光二极管元件的吸取定位点，可改善后续成品的制作良率，更具有产业上利用的价值。

基本信息

专利标题：

发光二极管封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720181204.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-10-18

授权号：

CN201107809Y

授权日：

2008-08-27

发明人：

陈崇福张正宜

申请人：

亿光电子工业股份有限公司

申请人地址：

中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁

优先权：

CN200720181204.5

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00 H01L23/488 H01L23/13

法律状态

2017-12-05 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20071018
授权公告日 : 20080827
终止日期 : 20161018

2008-08-27 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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