发光二极管封装结构

专利权的终止

摘要

一种发光二极管封装结构，其具有硅基座以及与硅基座结合的导热板。所述硅基座具有至少一个凹槽，且每一凹槽内具有反射层、透明绝缘层及金属凸块；待封装的发光二极管安置在金属凸块上，且发光二极管的电极在与金属凸块相反的一侧。在硅基座的下方设有导热板，因此发光二极管可以借由金属凸块，而将其热量传导到硅基座及导热板。

基本信息

专利标题：

发光二极管封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720143293.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-05-17

授权号：

CN201066695Y

授权日：

2008-05-28

发明人：

龚先进许弘宗

申请人：

兆立光电有限公司

申请人地址：

中国台湾

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司

代理人：

余朦

优先权：

CN200720143293.4

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00

法律状态

2013-07-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101488124822
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007201432934
申请日 : 20070517
授权公告日 : 20080528
终止日期 : 20120517

2010-07-28 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003592919
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007201432934
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 兆立光电有限公司
变更后权利人 : 巨燊科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 000000 中国台湾
变更后权利人 : 中国台湾
登记生效日 : 20100622

2008-05-28 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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