发光二极管封装结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种发光二极管封装结构，包括第一发光二极管以及数个第二发光二极管。第一发光二极管配置于载板上的中央位置。数个第二发光二极管配置于载板上且环设于第一发光二极管之外。第一发光二极管与载板之间的距离大于各第二发光二极管与载板之间的距离。以此可达到良好的混光效果。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021669364.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
CN212750890U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
邢陈震仑洪荣豪
申请人 ：
葳天科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园市中坜区西园路89号
代理机构 ：
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 ：
周鹤
优先权 ：
CN202021669364.6
主分类号 ：
H01L25/075
IPC分类号 ：
H01L25/075 H01L33/52 H01L33/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/075
包含在H01L33/00组类型的器件
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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