发光二极管的封装结构
专利权的终止
摘要
一种发光二极管的封装结构，此封装结构至少包含：第一陶瓷基板、第二陶瓷基板、至少一发光二极管芯片和连接器。第二陶瓷基板置于第一陶瓷基板上，且具有至少一凹槽。发光二极管芯片以一对一的方式来放置于凹槽内。连接器置放于第一陶瓷基板上，并与发光二极管芯片电性连接，如此可将发光二极管芯片电性连接至其它电子组件。另外，第一陶瓷基板和第二陶瓷基板利用低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co－fired Ceramics)来接合。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720306524.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-12-19
授权号 ：
CN201167092Y
授权日 ：
2008-12-17
发明人 ：
周欣怡吴易座郭慧樱
申请人 ：
亿光电子工业股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN200720306524.9
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L25/075 H01L23/498 H01L23/13 H01L23/36 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2016-02-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101645494195
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2007203065249
申请日 : 20071219
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20141219
号牌文件序号 : 101645494195
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2007203065249
申请日 : 20071219
授权公告日 : 20081217
终止日期 : 20141219
2008-12-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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