发光二极管封装结构
专利权的终止
摘要

本发明是有关于一种发光二极管封装结构,在此发光二极管封装结构中,在导热底板与发光二极管之间加设一层绝缘基材。本发明的发光二极管封装结构,包括:一导热底板,具有一凹坑;一绝缘基材,设在该导热底板的该凹坑上;以及一发光二极管,设在该绝缘基材之上,该发光二极管通过导线与外界的电源相连。此绝缘基材除了可增加发光二极管的整体出光效果,更可在绝缘基材上制做电路,使发光二极管封装结构的电路设计更具弹性。

基本信息
专利标题 :
发光二极管封装结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101026205A
申请号 :
CN200610007675.4
公开(公告)日 :
2007-08-29
申请日 :
2006-02-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴易座
申请人 :
亿光电子工业股份有限公司
申请人地址 :
台湾省台北县土城市中央路三段76巷25号
代理机构 :
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 :
寿宁
优先权 :
CN200610007675.4
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00  
法律状态
2012-04-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101225309968
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006100076754
申请日 : 20060217
授权公告日 : 20090422
终止日期 : 20110217
2009-04-22 :
授权
2007-10-24 :
实质审查的生效
2007-08-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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