半导体封装装置及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及半导体封装装置及其制造方法。该半导体封装装置包括：模塑材；桥接芯片，包覆在模塑材内，桥接芯片上设置有导电垫和第一导电孔，导电垫位于桥接芯片的第一表面，第一导电孔位于桥接芯片内并与导电垫电连接；缓冲层，设置在桥接芯片的第一表面，缓冲层上设置有第二导电孔，第二导电孔的第一端与导电垫电连接，第二导电孔的第二端暴露在缓冲层外。该半导体封装装置能够避免研磨制程中因半导体封装装置翘曲导致的硅通孔磨损过多或者难以露出的问题，有利于保证半导体封装装置同外部的电连接性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284242A
申请号 ：
CN202111448295.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶上暐黄敏龙吴崇熙杨盛文张谦维
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号
代理机构 ：
北京植德律师事务所
代理人 ：
唐华东
优先权 ：
CN202111448295.5
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L25/065 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20211130
申请日 : 20211130
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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