半导体封装装置及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开提出了半导体封装装置及其制造方法，通过设置具有不同带宽的第一线路和第二线路来连接不同的芯片，对于短距离/低数据传输速率的芯片间使用较小带宽的第一线路连接，对于长距离/高数据传输速率的芯片间则使用较大带宽的第二线路连接，较大的带宽意味着较高的数据传输速率和较小的信号损耗以及较少的信号失真，以此解决由于传输间的距离和带宽等变因，可能会存在信号损耗与信号失真，导致信号传递的效益降低的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420672A
申请号 ：
CN202210088500.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康荣瑞李长祺李秋雯
申请人 ：
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号
代理机构 ：
北京植德律师事务所
代理人 ：
唐华东
优先权 ：
CN202210088500.X
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L25/065 H01L25/07 H01L23/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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